вторник, 2 февраля 2010 г.

Альперович Виталий Львович


АЛЬПЕРОВИЧ Виталий Львович
родился 20 июня 1954 года
доктор физико-математических наук,
профессор кафедры физики полупроводников физического факультета



Специалист в области физики полупроводников, оптической спектроскопии полупроводниковых структур.
Основные направления научной деятельности В. Л. Альперовича связаны с исследованиями оптических, фотоэлектрических и фотоэмиссионных явлений в полупроводниковых структурах на основе соединений А3В5. Целью этих исследований является выяснение природы локализованных состояний и механизмов рассеяния, захвата и рекомбинации электронов на поверхности и границах раздела полупроводников. В.Л. Альперовичем совместно с коллегами обнаружены новые поляризационные фотоэффекты на баллистических и горячих электронах. Исследованы оптические и транспортные резонансы Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках AlAs/GaAs, а также эволюция электронных свойств поверхности p-GaAs(Cs,O) в процессе формирования состояния с отрицательным электронным сродством. Разработаны методы Фурье и фазового анализа спектров фотоотражения, позволяющие разделять вклады от поверхности и внутренних границ раздела тонкослойных эпитаксиальных структур и определять энергетические зонные диаграммы таких структур. Обнаружен и изучен фазовый переход в двумерном слое атомов цезия, адсорбированных на поверхности арсенида галлия. Практическое значение полученных результатов связано с совершенствованием полупроводниковых фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством.
Ученые степени и звания:
• кандидат физико-математических наук, тема диссертации «Баллистические фототоки на межзонных переходах в арсениде галлия»(1982);
• старший научный сотрудник по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков» (1992);
• доктор физико-математических наук, тема диссертации «Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений А3В5» (1999).

Родился в г. Самарканде. Отец, Лев Исаакович, физик, доктор физ.-мат. наук, профессор, преподавал в Таджикском госуниверситете (г. Душанбе). Мать, Вигандт Нива Ивановна, заслуженный учитель Таджикистана, преподавала математику в школе. Учился в средней школе № 20 г. Душанбе, затем в физико-математической школе-интернате при Новосибирском государственном университете (1969−1971).
Окончил с отличием физический факультет Новосибирского государственного университета по специальности «Физика» (1976).
Трудовая деятельность В. Л. Альперовича связана с Институтом физики полупроводников СО АН СССР (ныне СО РАН), где он начал работать в 1974 еще, будучи студентом. Сначала лаборантом, инженером, стажером-исследователем (1974−1976), затем инженером (1977–1980), ст. инженером (1980), мл. (1980–1986) и ст. науч. сотр. (1986−1996). В настоящее время является вед. науч. сотр. Института физики полупроводников СО РАН (с 1996).
В НГУ работает по совместительству с 1985. В период с 1985 по 1994 − старший преподаватель кафедры физики СУНЦ при НГУ. С 1994 работает на ФФ. Сначала ассистентом (1994−1995), затем доцентом (1995–2000), профессором кафедры физики полупроводников (с 2000).
Читает курс «Оптические процессы в полупроводниках» (для магистрантов). Читал спецкурс «Введение в физику полупроводников» (СУНЦ при НГУ, 1985−1994), руководит выполнением бакалаврских и магистерских работ студентов НГУ. Под руководством В. Л. Альперовича защищены три кандидатские диссертации.
В. Л. Альперович был членом специализированного совета по защитам кандидатских диссертаций ИФП СО РАН, а также членом библиотечно-информационного совета ИФП СО РАН.
Удостоен звания «Заслуженный ветеран СО РАН» (1997), награжден Почетной грамотой СО РАН в честь 275-летия РАН (1999).






Избранные работы
Опубликовал более 80 научных работ. В том числе:
Determination of built-in electric fields in delta-doped GaAs structures by phase-sensitive photoreflectance // Solid-State Electronics. 1994. V. 37, № 4–6. Р. 657−660. (В соавт.).
Domination of adatom-induced over defect-induced surface states on p-type GaAs(Cs,O) at room temperature // Phys. Rev. B 1994. V. 50. № 8. Р. 5480−5483. (В соавт.).
Diffusion and ordering of Cs adatoms on GaAs(001) studied by reflectance aniso-tropy spectroscopy // Phys. Rev. B 1997. V. 56. № 24. Р. R15565−R15568. (В соавт.).
Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(24)/c(28) под влиянием адсорбированного цезия // Письма ЖЭТФ. 2004. Т. 79. Вып. 3. С. 163−167. (В соавт.).
Surface passivation and morphology of GaAs(100) treated in HCl-isopropyl alcohol solution // Appl. Surf. Sci. 2004. V. 235. Р. 249−259. (В соавт.).
Polarized cathodoluminescence induced by low energy spin-polarized electrons in-jected in p-GaAs(Cs,O) // Nuclear Instrum. and Methods A. 2005. V. 536. Р. 302−307. (В соавт.).
Cesium-induced surface conversion: From As-rich to Ga-rich GaAs(001) at reduced temperatures // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. Р. 155315(7). (В соавт.).
Composition and structure of chemically prepared GaAs(111)A and (111)B surfa-ces // Surf. Sci. 2006. V. 600. Р. 577−582. (В соавт.).
Спинзависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком g-фактора электронов на интерфейсе p-GaAs(Cs,O)-вакуум // Письма ЖЭТФ. 2006. Т. 83. Вып. 10. С. 525−529. (В соавт.).


Алешина Ольга Николаевна
Альперович Виталий Львович
Аниконов Дмитрий Сергеевич
к оглавлению

Комментариев нет:

Отправить комментарий